所述CHA5266-FAB是在无引线表面上的三级单片砷化镓中功率放大器安装密封金属陶瓷6x6mm²包。

它设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以符合RoHS的SMD封装提供。