CHA2092b99F是高增益宽带三级单片低噪声放大器。

芯片的背面是RF和DC接地。这有助于简化组装过程。自偏置技术在芯片上实现，以减轻电路偏置。

它设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以芯片形式提供。