产品详情介绍
CHA2090-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的0.25µm栅长pHEMT工艺制造,通过基板上的孔,气桥和电子束栅光刻技术制造。
它以芯片形式提供。
重要参数
CHA2090-99F 放大器– LNA
射频带宽(GHZ):17 - 24
增益(dB):23
增益同轴度(dB):1
噪声系数(dB):2
P-1dB输出(dBm):10
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA2090-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的0.25µm栅长pHEMT工艺制造,通过基板上的孔,气桥和电子束栅光刻技术制造。
它以芯片形式提供。