产品详情介绍
CHA2069-FAB 是一个三阶段的自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。
建议采用无铅表面贴装全封闭金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4.5V / 55mA。
该电路专用于太空应用,也非常适合各种微波和毫米波应用和系统。
重要参数
CHA2069-FAB 放大器– LNA
射频带宽(GHZ):16 - 32
增益(dB):22
增益同轴度(dB):1
噪声系数(dB):2.5
P-1dB输出(dBm):10
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA2069-FAB 是一个三阶段的自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。
建议采用无铅表面贴装全封闭金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4.5V / 55mA。
该电路专用于太空应用,也非常适合各种微波和毫米波应用和系统。