产品详情介绍
CHA2069-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。
它以芯片形式提供。
重要参数
CHA2069-99F 放大器– LNA
射频带宽(GHZ):16 - 31
增益(dB):22
增益同轴度(dB):1
噪声系数(dB):2.5
P-1dB输出(dBm):10
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA2069-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。
它以芯片形式提供。