产品详情介绍
CHA3688aQDG是三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
该电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻技术制造。
它以符合RoHS的SMD封装提供。
重要参数
CHA3688aQDG 放大器– LNA
射频带宽(GHZ):12.5-30
增益(dB):26
增益同轴度(dB):2
噪声系数(dB):2
P-1dB输出(dBm):14
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA3688aQDG是三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
该电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻技术制造。
它以符合RoHS的SMD封装提供。