产品详情介绍
CHA2063a99F是两级宽带单片低噪声放大器。
该电路采用pHEMT工艺制造:栅长0.25µm,通过基板的通孔,气桥和电子束栅光刻。
它以芯片形式或密封无铅陶瓷封装提供。
重要参数
CHA2063a99F 放大器– LNA
射频带宽(GHZ): 7-13
增益(dB):19
增益同轴度(dB):2
噪声系数(dB):2
P-1dB输出(dBm):8
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA2063a99F是两级宽带单片低噪声放大器。
该电路采用pHEMT工艺制造:栅长0.25µm,通过基板的通孔,气桥和电子束栅光刻。
它以芯片形式或密封无铅陶瓷封装提供。