所述CHA3666-FAB是两级自偏置宽频带单片低噪声放大器。

该电路采用标准的pHEMT工艺制造：栅极长度0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻。

建议采用无铅表面贴装全封闭金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4V / 80mA。

该电路专用于太空应用，也非常适合各种微波和毫米波应用和系统。