产品详情介绍
CHA3666-99F是两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。
重要参数
CHA3666-99F 放大器– LNA
射频带宽(GHZ): 6 - 17
增益(dB):21
增益同轴度(dB):0.5
噪声系数(dB):1.8
P-1dB输出(dBm):17
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA3666-99F是两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
该电路采用标准的pHEMT工艺制造:栅极长度0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。