产品详情介绍
CHA3656-FAB是两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
它专用于空间通信,也非常适合广泛的应用,例如C,X,Ku雷达,测试仪器和高可靠性应用。
该电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻技术制造。
它以表面贴装密封包装提供。
重要参数
CHA3656-FAB 放大器– LNA
射频带宽(GHZ): 5.8 - 16
增益(dB):20
增益同轴度(dB):-
噪声系数(dB):1.75
P-1dB输出(dBm):14.5
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA3656-FAB是两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
它专用于空间通信,也非常适合广泛的应用,例如C,X,Ku雷达,测试仪器和高可靠性应用。
该电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25µm,通过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻技术制造。
它以表面贴装密封包装提供。