产品详情介绍
CHA7114-99F是专为X波段应用而设计的单片式两级GaAs高功率放大器。
该设备使用UMMS 0.25µm功率pHEMT工艺制造,包括通过基板的通孔和空气桥。
为了简化组装过程:
芯片的背面同时射频和直流接地
焊盘和背面均镀金,以与共晶芯片附着方法和热压键合工艺兼容。
重要参数
CHA7114-99F 放大器– HPA
射频带宽(GHZ): 8.5-11.5
增益(dB): 20
IP3(dBm):-
P-1dB输出(dBm):-
输出功率(dBm):39.8
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHA7114-99F是专为X波段应用而设计的单片式两级GaAs高功率放大器。
该设备使用UMMS 0.25µm功率pHEMT工艺制造,包括通过基板的通孔和空气桥。
为了简化组装过程:
芯片的背面同时射频和直流接地
焊盘和背面均镀金,以与共晶芯片附着方法和热压键合工艺兼容。