CHA2292-99F是具有可变增益的高增益四级单片低噪声放大器。它设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。芯片的背面同时接地了RF和DC。这有助于简化组装过程。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以芯片形式提供。