CHA3512-99F由一个单刀双通（SPDT）开关，一个单级数字衰减器和一个双级行波放大器组成。

专为国防应用而设计。芯片的背面同时射频和直流接地。这有助于简化组装过程。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以芯片形式提供。