CHA3513-99F由一个三级数字衰减器，一个三级行程放大器和一个单刀单通（SPST）开关组成。

专为国防应用而设计。芯片的背面同时射频和直流接地。这有助于简化组装过程。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以芯片形式提供。

主要特点

■性能：6-18GHz

■20dBm饱和输出功率

■19 dB增益

■26dB范围的3位衰减器

■直流功耗，300mA@4.5V

■芯片尺寸：6.68 x 2.46 x 0.1毫米