CHA3514-99F由一个二级行波放大器和一个四级数字衰减器组成。专为国防应用而设计。芯片的背面同时射频和直流接地。这有助于简化组装过程。

该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它以芯片形式提供。

主要特点

■性能：6-18GHz

■19dBm饱和输出功率

■13 dB增益

■39.5dB动态范围的4位衰减器

■直流功耗，190mA@4.5V

■芯片尺寸：5.54 x 2.30 x 0.1mm