产品详情介绍
NPT2010 GaN-HEMT是一种宽带晶体管,为DC-2.2ghz工作而优化。该装置设计用于连续波、脉冲和线性操作,输出功率级为100W(50dBm),采用带螺栓法兰的工业标准金属陶瓷封装。
特征
适合线性和饱和应用
可从DC-2.2 GHz调谐
48V操作
工业标准包
高排水效率(>60%)
应用
国防通信
陆地移动无线电
航空电子设备
无线基础设施
ISM应用
VHF/UHF/L波段雷达
重要参数
NPT2010B大功率射频功率晶体管
工作频率:DC-2.2GHz
功率: 100W-50dBm
高可靠性陶瓷镀金封装
GaN工艺
产品详情介绍
NPT2010 GaN-HEMT是一种宽带晶体管,为DC-2.2ghz工作而优化。该装置设计用于连续波、脉冲和线性操作,输出功率级为100W(50dBm),采用带螺栓法兰的工业标准金属陶瓷封装。
特征
适合线性和饱和应用
可从DC-2.2 GHz调谐
48V操作
工业标准包
高排水效率(>60%)
应用
国防通信
陆地移动无线电
航空电子设备
无线基础设施
ISM应用
VHF/UHF/L波段雷达