NPT2010B大功率射频功率晶体管
NPT2010B大功率射频功率晶体管

重要参数

NPT2010B大功率射频功率晶体管

工作频率:DC-2.2GHz 

功率: 100W-50dBm

高可靠性陶瓷镀金封装

GaN工艺

 


品牌:MACOM

产品详情介绍

NPT2010 GaN-HEMT是一种宽带晶体管,为DC-2.2ghz工作而优化。该装置设计用于连续波、脉冲和线性操作,输出功率级为100W50dBm),采用带螺栓法兰的工业标准金属陶瓷封装。

特征

适合线性和饱和应用

可从DC-2.2 GHz调谐

48V操作

工业标准包

高排水效率(>60%

应用

国防通信

陆地移动无线电

航空电子设备

无线基础设施

ISM应用

VHF/UHF/L波段雷达