我们很高兴地宣布,我们最新的标准化GaAs和GaN MMIC设计目录已达到150多种器件,2018年将推出30种新产品。 2018年发布的产品包括:8个低噪声放大器MMIC,2个驱动器放大器MMIC,2个功率放大器MMIC,2个混频器MMIC,1个移相器MMIC,2个乘法器MMIC,4个开关MMIC和8个数字衰减器MMIC。完整的产品列表可以在下面查看。
PH1617-2无线双极2W功率晶体管专为线性放大器应用而设计,具有扩散发射极镇流电阻器、通用发射器配置、内部输入阻抗匹配等特征。
PH1214-6M/PH1214-80M微波功率晶体管,具有1.2-1.4 GHz,100μs脉冲,10%负载以及150μs脉冲、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等特点。
PH1214-55EL微波55W脉冲功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、通用基本配置、1.2-1.4 GHz,1ms脉冲,10%负载 等特点。
PH1214-40M雷达40W脉冲功率晶体管,具有.2-1.4 GHz,150μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、高效数字间几何、通用基本配置等特征。
PH1214-3L雷达脉冲功率晶体管3W,具有通用基本配置、宽带C类操作、 扩散发射极镇流电阻器、内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、NPN硅微波功率晶体管等特征。
PH1214-300M雷达脉冲功率晶体管300W,具有金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、符合RoHS标准、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配等特征。
PH1214-25L/PH1214-25M航空航天射频功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、通用基本配置等特点。
PH1214-12M/PH1214-220M微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、高效数字间几何、宽带C类操作、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-110M通用NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、金属化系统、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-0.85L密封金属陶瓷封装NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等。
PH1113-100国防NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、金属化系统等特征。
PH1090-75L航空航天NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-700B通用基本配置NPN硅射频功率晶体管,具有 符合RoHS标准、金金属化系统、 宽带C类操作、内部输入和输出阻抗匹配等特征
PH1090-550S宽带C类操作功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-350L射频微波功率晶体管,具有通用基本配置、符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1090-175L封装NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置、宽带C类操作等特点。
PH1090-15L宽带C类NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、 高效数字间几何等特征。
MRF587设计用于高增益,低噪声,超线性,调谐和宽带放大器。适用于CATV,MATV和仪器仪表应用。具有全金属金属系统、离子注入、镍铬合金发射极镇流器电阻器等特点。
MRF448A主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器,适用于船舶和基站设备。额定50 V,30 MHz特性:输出功率= 250 W,最小增益= 12 dB,效率= 45%。
MRF428主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于海洋和基站设备。额定50 V,30 MHz特性:输出功率= 150 W(PEP),最小增益= 13 DB,效率= 45%。
MRF393双极主要设计用于30至500 MHz频率范围内的宽带大信号输出和驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、推挽式配置降低了偶数编号的谐波等特征。
MRF323双极主要设计用于200-500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和预驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、计算机控制的引线键合提供一致的输入阻抗等特征
MRF317双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级,具有高可靠性应用的金金属化系统、 内置匹配网络,用于宽带运营、宽带测试装置的保证性能等。
MRF316双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级。具有用于宽带操作的内置匹配网络、 高可靠性应用的金金属化系统等特征。
MRF313双极专为军事,移动和飞机无线电中的宽带放大器,驱动器或振荡器应用而设计。具有用于改善MTBF的发射镇流器和低电流命运、提高稳定性的共同发射极等特点。
MRF16006双极设计用于范围为1600 - 1640 MHz的28 V微波大信号,公共基极,C类,CW放大器应用。具有金属金属化,发射器Ballasted长寿命和抗金属迁移、 氮化硅钝化等特点。
MRF1090MB设计用于短脉冲TACAN,IFF和DME发射器中的B类和C类共基极放大器应用。具有金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性、 行业标准包装等特点。
MRF10502专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有内部输入和输出匹配、金属金属化,发射器,Ballested长寿命和金属迁移等特点。
MRF10350双极专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有氮化硅钝化、金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性等特点。