GaN LNA中脉冲恢复时间的研究：第二部分

发布时间：2018-11-28 15:09:20 浏览：1589

基于我们之前关于脉冲恢复测试的博客，我们提供了具有5至9 GHz带宽的市售GaN MMIC放大器的脉冲恢复时间测量。放大器组装成金属外壳，2.4 mm连接器用于连接测试设备。测试了三个独立的单元，结果在所有单元中保持一致。因此，为了简洁起见，我们提供了一个单元的结果。

我们首先在上面的图像中提供脉冲恢复时间测量的示例。干扰脉冲以洋红色显示，而所需信号以红色显示。我们可以看到，当干扰源被激活时，所需信号严重失真，然后在干扰源被解除后恢复。恢复测量为信号电平的10％至90％的上升时间。

接下来，我们观察到脉冲恢复时间与短脉冲条件下的输入能量似乎随着输入能量的增加而单调增加，尽管这种关系似乎是非线性的。

我们接下来观察了脉冲恢复时间与长脉冲条件下的输入能量。我们注意到恢复时间随着能量的增加而单调增加，并且遵循与短脉冲相同的趋势。

在考虑短脉冲与长脉冲的结果时，我们注意到恢复时间不仅仅取决于入射能量。实际上，有两组具有相同入射能量的短脉冲和长脉冲测量，但恢复时间差异很大。此外，我们的技术简报中提供了恢复时间与能源数据。

我们注意到，较低功率的较长脉冲具有比具有较高功率的较短脉冲更长的恢复时间，即使它们具有接近相同的入射能量。因此，看起来脉冲恢复时间虽然取决于入射能量，但也取决于干扰信号的入射动作（能量时间持续时间，uJ-us）。这是一个我们将在未来工作中探索的有趣现象。

结论

在这个由两部分组成的博客系列中，我们介绍了一种在存在高功率带外干扰信号的情况下测量GaN低噪声放大器脉冲恢复时间的方法。脉冲恢复时间正成为评估系统性能的重要指标。在我们对市售的5至9 GHz GaN LNA的检查中，我们考虑了在短脉冲（<10 us）和长脉冲（> 100 us）条件下工作的干扰信号。我们发现在每种情况下，恢复时间在数学上与通过激进关系的输入能量相关。然而，脉冲恢复时间似乎也是输入动作（uJ-us）的函数，因为具有相同入射能量的短脉冲和长脉冲具有不同一个数量级的恢复时间。在将来，

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: 采用并联独立偏置门的带OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA