S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封装GaN功率HEMT DC-6GHz

发布时间：2018-10-31 15:31:39     浏览：2012

描述

AMCOM的AM050WN-CU-R是Cu系列的GaN /碳化硅HEMT的一部分。这个部分的总栅极宽度是5mm。AM050WN-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率可达6GHz。CU系列是专门设计的陶瓷封装，具有直引线和落地式法兰。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这部分是符合RoHS标准的。

品牌 型号 货期 库存
AMCOM AM050WN-CU-R 1周 200
如若您需要购买AM050WN-CU-R，请点击右侧客服联系我们！！！

特征
高达6 GHz的高频操作
高增益和高功率，P5dB＝43 dBm @ 2GHz
低成本陶瓷封装。

铜钨载体有效散热


应用
高动态接收机
蜂窝无线基站
宽带和窄带放大器
雷达
测试仪表
陆军
干扰机

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: P波段L波段高功率微波应用AM100WN-CU-R

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​Q3XB-4000R-SMA混合耦合器Electro-Photonics
    ​Q3XB-4000R-SMA混合耦合器Electro-Photonics 2025-07-04 16:33:07

    Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 设计的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器，旨在优化窄带和宽带功率放大器性能。它封装尺寸小，适合空间受限场景，具备 1700-6000 MHz 频率范围、85 瓦额定功率等性能参数，接口类型多样且表面处理可定制，广泛应用于信号分割/组合、天线波束形成网络等多个领域。