ADRF5132单级双掷反射开关

发布时间：2024-12-17 11:36:58     浏览：476

ADRF5132是款高功率、反射性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、单极、双掷（SPDT）反射开关，使用无导线表面贴装封装形式。该交换机特别适合高功率和蜂窝状基础设施建设应用，如长时间演进（LTE）基站设备。ADRF5132具备35 dBm LTE的高功率处理效率（在105°C下的均值典型值），2.7 GHz下0.6 dB的低插入损耗，65 dBm的输入三阶截距（典型值）和42.5 dBm的0.1 dB压缩（P0.1dB）。

ADRF5132板上电源电路在5V的单一正电源电压和1.1mA的典型电源电流下运行，使ADRF5132成为基于pin二极管的开关的理想化替代品。

ADRF5132选用满足RoHS标准的紧凑型16管脚3 mm×3 mmLFCSP封装形式。

ADRF5132.png

特征

反射性，50Ω设计

低插入损耗：2.7 GHz时典型为0.6 dB

TCASE=105°C时的高功率解决

长时间（>10年运行）

最大功率：43 dBm

CW功率：38 dBm

LTE峰值功率（8 dB标准杆数）：35 dBm

单事件（<10秒操作）

LTE峰值功率（8 dB标准杆数）：41 dBm

高线性度

P0.1dB:42.5 dBm典型值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz时的典型值为65 dBm

ESD额定值

HBM:2 kV，2级

CDM：1.25 kV

单正电源：5V

正向控制，兼容CMOS/TTL

16管脚，3mm×3mm LFCSP封装形式

应用

蜂窝状/4G基础设施建设

无线网络基础设施建设

军事和高可靠性应用

测试仪器

Pin二极管替换

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