900 V分立碳化硅MOSFET CREE

发布时间：2024-12-17 11:21:28     浏览：540

CREE扩展了其在碳化硅（SiC）技术中的主导地位，低电感分立封装具备宽沿面和漏极与源极之间的空隙距离（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET灵活运用最新的MOSFET芯片高频性能，并且提供应用于高污染环境的超额电气隔离。独立的开尔文源管脚减少了功率电感；从而开关损耗减少了30%。设计师可以借助从硅基转向硅基来降低器件数量；通过增加开关性能，可以通过三电平拓扑转换成更高效的两电平拓扑。

特征

在整体工作温度范围内，最低电压是900V Vbr

带驱动源的低阻抗封装

高阻断电压，低RDS（开启）

低反向恢复（Qrr）的高效本征二极管

有利于并联，使用简单

MOSFET.png

优势

通过减少开关和传递损耗提升系统效率

实现高开关频率操控

提高系统级功率密度

降低系统规模；净重；和冷却需求

启动新的硬开关拓扑（Totem Pole PFC）

典型应用

电机控制系统

新能源充电桩系统

应急电源（UPS）

电池测试系统

新能源电动车极速充电系统

车载充电器

传动装置

焊接工艺

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

 

Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Tjmax

Package

C3M0065090D

900 V

65 mΩ

36 A

150 °C

TO-247-3

C3M0120090D

900 V

120 mΩ

23 A

150 °C

TO-247-3

C3M0280090D

900 V

280 mΩ

11.5 A

150 °C

TO-247-3

C3M0030090K

900 V

30 mΩ

63 A

150 °C

TO-247-4

C3M0065090J

900 V

65 mΩ

35 A

150 °C

TO-263-7

C3M0120090J

900 V

120 mΩ

22 A

150 °C

TO-263-7

C3M0280090J

900 V

280 mΩ

11.5 A

150 °C

TO-263-7


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