​1700 V分立碳化硅MOSFET CREE

发布时间：2024-12-12 17:26:18     浏览：676

CREE的1700 V碳化硅（SiC）MOSFET能够实现相对较小、高效率的功率转换系统。与硅基处理方式相比较，CREE碳化硅技术能够提高系统功率密度、较高的工作频率、较小的结构设计、更冷门的的模块、较小的模块规格（电感器、电容器、滤波器和变压器）和整体成本效率。

特征

12-15V栅极驱动电压

适用于反激式应用时的0V关闭电压

低电容高速度开关

漏极和源极之间的宽击穿电压和缝隙

优势

较高的系统效率和功率密度

提供数个12-48V设备，降低制冷需求

较高的工作频率

典型应用

电源转换

开关电源

电源逆变器

根据1500V的系统

高压DC/DC转换器

电机控制器

脉冲功率应用

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

MOSFET.png

Product SKU

Status

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Tjmax

Package

Qualification

C3M0900170D

Active

1700 V

900 mΩ

6.3 A

175 °C

TO-247-3

Industrial

C3M0900170M

Active

1700 V

900 mΩ

6.3 A

175 °C

TO-247-3PF

Industrial

C3M0900170J

Active

1700 V

900 mΩ

6.3 A

175 °C

TO-263-7

Industrial

C2M0045170D

Last Time Buy

1700 V

45 mΩ

75 A

150 °C

TO-247-3

Industrial

C2M0045170P

Last Time Buy

1700 V

45 mΩ

75 A

150 °C

TO-247-4 Plus

Industrial

C2M1000170D

Last Time Buy

1700 V

1000 mΩ

5 A

150 °C

TO-247-3

Industrial

C2M1000170J

Last Time Buy

1700 V

1000 mΩ

5.3 A

150 °C

TO-263-7

Industrial


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