​CMPA0060002D射频放大器CREE

发布时间：2024-12-02 17:14:36     浏览：380

CMPA0060002D是一种带有氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能，包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA0060002D使用分布式（导波）放大器设计思路，能够在更小的占用面积内实现极宽的带宽。

CMPA0060002D.png

特征

•17 dB小信号增益值

•2 W典型PSAT

•额定电压高达28V

•高击穿场强

•高温度使用

•尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸

应用

•超宽带放大器

•光纤线驱动器

•测试设备

•EMC放大器驱动器

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA4253-FAB Ku,K波段中功率放大器

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​DZR185AC零偏压肖特基二极管探测器
    ​DZR185AC零偏压肖特基二极管探测器 2025-05-09 16:37:10

    DZR185AC 是 HEROTEK 公司生产的零偏压肖特基二极管探测器，专为高频信号检测设计，无需外部偏置电压，靠肖特基势垒检波。它成本低且宽频覆盖，灵敏度稍逊超导探测器，但在毫米波领域响应速度远超热释电探测器，是工业级仪器首选。其技术参数涵盖工作频率、输入功率等多项指标，连接器、尺寸等也有明确规定。该探测器应用于雷达与电子战、通信系统、测试与测量及航空航天等领域。