​CGHV60170D-GP4高电子迁移率晶体管

发布时间：2024-11-18 17:03:20     浏览：626

CGHV60170D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能；包含较高的击穿场强；饱和电子偏移速度较高；及其较高的传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D提供较高的功率密度和更宽的频带宽度。

CGHV60170D-GP4.png

产品规格

阐述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT芯片

最低频率（MHz）：0

最高频率（MHz）：6000

增益值（dB）：17

封装类别：Die

特征

65%典型功率附加效率

170 W典型PSAT

50V操控

高击穿场强

频率范围高至6 GHz

深圳市立维创展科技授权代理MACOM产品线，主要供应MACOM的可变增益放大器，功率放大器，低噪声放大器，线性放大器，混合放大器，FTTx放大器，分布式放大器，放大器增益模块，有源分离器，功分器，倍频器，混合式混频器，混频器，上变频器，数字衰减器，数字移相器，功率检验器，压控衰减器等多种半导体。如需购买MACOM产品，请点击右侧客服咨询！！！

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