125W射频功率晶体管NPT25100P
发布时间:2018-09-20 15:41:11 浏览:1426
氮化镓28V,125W射频功率晶体管
品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
MACOM | NPT25100P | 1周 | 300 |
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特征
针对CW,脉冲,WiMAX,W-CDMA,LTE和2100 - 2700MHz的其他应用进行了优化
10W线性功率@ 2.0%EVM用于单载波OFDM,10.3dB峰值/平均值,10MHz信道带宽,16.5dB增益,26%效率
特点适用于高达32V的工作电压
100%射频测试
热增强型工业标准封装
高可靠性金金属化工艺
无铅
125W P3dB峰值包络功率
90W P3dB连续波功率
符合ECCN 3A982.a.1出口管制
符合RoHS标准
产品规格
电源电压:28 V.
PSAT:90瓦
增益:16 dB
测试频率:2.5 GHz
Theta JC:1.8 C / W.
MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波(CW)GaN,作为分立器件和模块,设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备,通信,网络,长脉冲雷达以及工业,科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统,即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案,以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品,采用分立晶体管和集成放大器,采用0.5微米HEMT工艺,在功率,增益,增益平坦度,效率方面表现出优异的RF性能
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