PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET

PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET

发布时间：2024-11-08 17:05:23 浏览：557

PXAE261908NF-V1是CREE的一款240瓦（P3dB）LDMOS FET，适用于2515至2675 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。PXAE261908NF-V1包含输入输出适配、高增益和带无耳法兰盘的热增强封装。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工艺技术，具有卓越的热稳定性和卓越的安全性能。

产品规格

阐述：高功率射频LDMOS FET240W，28 V，2515-2675 MHz

最低频率（MHz）：2515

最高频率（MHz）：2675

P3dB输出功率（W）：240

增益值（dB）：13.5

工作效率（%）：47

工作电压（V）：28

封装类型：塑料

封装：封装分立晶体管

技术应用：LDMOS

特征

典型的脉冲CW性能，2675 MHz，28 V输出功率，P1dB=51 W输出功率，P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%

集成化ESD保护

模特模型，2级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低热导率

无铅并满足RoHS标准

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