NPT2018无线基础设施DC-3.5 GHz宽带晶体管
发布时间:2018-09-19 17:28:28 浏览:1485
NPT2018 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波,脉冲和线性工作,输出功率为12.5W(41 dBm),采用工业标准表面贴装塑料封装。
品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
MACOM | NPT2018 | 1周 | 90 |
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特征
适用于线性和饱和应用
工业标准塑料包装
48V操作
可从DC-6 GHz调谐
高漏极效率(> 60%)
应用
航空航天与国防
航空电子学
国防通讯
主义
VHF / UHF / L / S波段雷达
无线基础设施
产品规格
电源电压:48 V.
PSAT:12.5瓦
增益:17.5 dB
测试频率:2.5 GHz
Theta JC:6.5 C / W.
最大频率:3,500 MHz
最小频率:0 MHz
MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波(CW)GaN,作为分立器件和模块,设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备,通信,网络,长脉冲雷达以及工业,科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统,即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案,以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品,采用分立晶体管和集成放大器,采用0.5微米HEMT工艺,在功率,增益,增益平坦度,效率方面表现出优异的RF性能,
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