​PXAE263708NB-V1 S波段大功率射频LDMOS场效应晶体管

发布时间:2024-11-04 16:57:13     浏览:440

PXAE263708NB-V1CREE的一款400瓦(P3dBLDMOS FET,应用于26202690 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。包含输入输出适配;高增益以及具有无突缘的热增强封装形式。PXAE263708NB-V1采用独特的LDMOS工艺技术;PXAE263708NB-V1具有良好的热稳定性和优异的安全性能。

PXAE263708NB-V1.png

产品规格

阐述:高功率RFLDMOS FET400WP3dB);28v2620-2690MHz

最低频率(MHz):2620

最高频率(MHz):2690

P3dB输出功率(W):400

增益(dB):13.5

效率(%):47

额定电压(V):28

封装类别:塑料

封装:封装形式分立晶体管

技术:LDMOS

特征

宽带内部输入输出适配

非对称性Doherty设计:主P1dB=140W典型值;最高值P1dB=260 W典型值

典型的脉冲CW特性;2655MHz28v;多尔蒂构型;AB类:P1dB=200W时的输出功率;P3dB=400W时的输出功率;效率=49%POUT=57 W均值);增益=15 dBPOUT=57 W均值)

能够处理32 V10:1VSWR100 WCW)输出功率

集成化ESD保护

无铅并满足RoHS标准

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!

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