PXAE263708NB-V1 S波段大功率射频LDMOS场效应晶体管
发布时间:2024-11-04 16:57:13 浏览:440
PXAE263708NB-V1是CREE的一款400瓦(P3dB)LDMOS FET,应用于2620至2690 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。包含输入输出适配;高增益以及具有无突缘的热增强封装形式。PXAE263708NB-V1采用独特的LDMOS工艺技术;PXAE263708NB-V1具有良好的热稳定性和优异的安全性能。
产品规格
阐述:高功率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz
最低频率(MHz):2620
最高频率(MHz):2690
P3dB输出功率(W):400
增益(dB):13.5
效率(%):47
额定电压(V):28
封装类别:塑料
封装:封装形式分立晶体管
技术:LDMOS
特征
宽带内部输入输出适配
非对称性Doherty设计:主P1dB=140W典型值;最高值P1dB=260 W典型值
典型的脉冲CW特性;2655MHz;28v;多尔蒂构型;AB类:P1dB=200W时的输出功率;P3dB=400W时的输出功率;效率=49%(POUT=57 W均值);增益=15 dB(POUT=57 W均值)
能够处理32 V时10:1的VSWR;100 W(CW)输出功率
集成化ESD保护
无铅并满足RoHS标准
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2010-2是KR Electronics生产的带通滤波器,以卓越电气性能和热稳定性著称,适用于对信号纯度要求高的场景,在射频通信、雷达及医疗设备等领域频段选择能力强,是信号处理关键组件,其中心频率5.5kHz、通带范围600Hz等,采用PCB安装封装,阻抗特性为3kΩ源阻抗、5kΩ负载阻抗,可应用于音频处理、通信系统、电子战与雷达系统、工业自动化和医疗设备等多个领域,起到增强信号、减少干扰、提高信号准确性等作用 。