​GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE

发布时间:2024-10-31 17:18:10     浏览:396

GTRA262802FCCREE250瓦(P3dBGaN on SiC 高功率RF GaN放大器,应用于多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTRA262802FC具备输入适配、高效率和无轴环热增强封装的特性。

GTRA262802FC.png

规格参数

阐述:SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W48v2490-2690MHz

最低频率(MHz):2490

最高频率(MHz):2690

P3dB输出功率(W):250

增益值(dB):14

效率(%):54

额定电压(V):48

封装类型:Earless

封装:封装分立晶体管

技术应用:SiCGaN

特征

GaN-on-SiC HEMT技术应用

•输入适配

•典型的脉冲CW性能,2605 MHz48 V,组合输出,16µs脉冲宽度,10%pwm占空比

-P3dB=250W时的输出功率

-效率=62%

-增益值=14.4 dB

•同时在48 V38 WCW)输出功率下操作10:1 VSWR

•模特模型1A级(根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

•低热阻

•无铅并满足RoHS标准

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!

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