GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE
发布时间:2024-10-31 17:18:10 浏览:396
GTRA262802FC是CREE的250瓦(P3dB)GaN on SiC 高功率RF GaN放大器,应用于多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTRA262802FC具备输入适配、高效率和无轴环热增强封装的特性。
规格参数
阐述:SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W;48v;2490-2690MHz
最低频率(MHz):2490
最高频率(MHz):2690
P3dB输出功率(W):250
增益值(dB):14
效率(%):54
额定电压(V):48
封装类型:Earless
封装:封装分立晶体管
技术应用:SiC的GaN
特征
•GaN-on-SiC HEMT技术应用
•输入适配
•典型的脉冲CW性能,2605 MHz,48 V,组合输出,16µs脉冲宽度,10%pwm占空比
-P3dB=250W时的输出功率
-效率=62%
-增益值=14.4 dB
•同时在48 V、38 W(CW)输出功率下操作10:1 VSWR
•模特模型1A级(根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
•低热阻
•无铅并满足RoHS标准
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