AM020MH2-BI-R HiFET高压GaAs场效应管AMCOM
发布时间：2024-09-20 08:56:24 浏览：530
AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs
HiFET的一部分。这款HiFET是一种部分匹配的专利设计，适用于高电压、高功率和宽带应用。此组件具有4毫米的总设备周长。AM020MH2-BI-R专为高功率微波应用设计，频率范围最高可达6GHz。
BI系列采用特别设计的陶瓷封装，具有直引脚安装风格。封装底部的法兰同时作为DC接地、RF接地和散热路径。还有一种弯曲引脚版本适用于表面贴装技术(SMT)应用。
特点
- 宽带部分匹配：DC至2.4GHz
- 高频操作：可达6GHz
- 高增益：在3.5GHz时增益15dB
- 高功率：在3.5GHz时P1dB为31dBm
- 高线性度：在3.5GHz时IP3为46dBm
- 底部接地有效散热
应用
- 宽带应用
- 高电压10V至14V
- 无线局域网
- PCS基站
- WLAN、中继器和HIPERLAN
- 雷达和航空通信
参数：
| Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web) |
Freq
(MHz) | MAG(S11) | ANG(S11) | MAG(S21) | ANG(S21) | MAG(S12) | ANG(S12) | MAG(S22) | ANG(S22) |
| 200 | 0.621 | -18.621 | 8.642 | 167.68 | 0.045 | 13.795 | 0.405 | 4.177 |
| 500 | 0.631 | -43.6 | 8.277 | 149.531 | 0.036 | -25.302 | 0.509 | -3.917 |
| 1000 | 0.64 | -80.941 | 7.365 | 121.484 | 0.028 | -26.833 | 0.578 | -25.813 |
| 1500 | 0.679 | -107.195 | 6.336 | 98.301 | 0.025 | -25.939 | 0.601 | -44.057 |
| 2000 | 0.683 | -130.367 | 5.444 | 76.973 | 0.024 | -29.102 | 0.615 | 60.441 |
| 3000 | 0.687 | -167.484 | 4.115 | 39.754 | 0.02 | -40.691 | 0.647 | 88.875 |
| 4000 | 0.677 | 163.773 | 3.294 | 7.847 | 0.014 | -56.361 | 0.692 | -112.52 |
| 5000 | 0.641 | 137.336 | 2.805 | -21.489 | 0.003 | -153.734 | 0.706 | -129.172 |
| 6000 | 0.599 | 105.863 | 2.726 | -51.602 | 0.023 | 43.555 | 0.79 | 146.367 |
| 7000 | 0.541 | 58.244 | 2.604 | -87.004 | 0.037 | 7.578 | 0.817 | -166.602 |
| 8000 | 0.571 | 0.882 | 2.359 | 125.16 | 0.047 | -25.074 | 0.839 | 172.109 |
| 9000 | 0.687 | -45.787 | 2 | -162.023 | 0.057 | -52.545 | 0.83 | 150.031 |
| 10000 | 0.808 | -78.57 | 1.688 | 163.75 | 0.069 | 80.164 | 0.799 | 126.715 |
深圳立维创展是AMCOM功率放大器的代理销售，主营AMCOM的功率放大器，如：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制，欢迎咨询。
