QPD0030 GaN射频功率晶体管Qorvo现货

发布时间：2024-07-24 08:46:28     浏览：619

　　QPD0030是Qorvo公司生产的一款高性能GaN射频功率晶体管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高电子迁移率晶体管)技术。这款晶体管在48V电源轨上工作，频率范围从直流(DC)至5GHz，输出功率在P3dB点达到45W，非常适合用于基站、雷达和通信系统等应用。

QPD0030 GaN射频功率晶体管Qorvo现货

　　QPD0030的主要特点包括：

　　- 频率范围：DC至5GHz

　　- 输出功率(P3dB)：在2.2GHz频率下，输出功率可达49W。

　　- 线性增益：在2.2GHz频率下，典型增益为22.3dB。

　　- 典型PAE3dB：在2.2GHz频率下，效率高达71.5%。

　　- 工作电压：48V。

　　- 低热阻封装：在高功率工作时有效散热，保持器件的稳定性和寿命。

　　- 支持连续波(CW)和脉冲工作模式

　　QPD0030可以应用于Doherty架构中，特别适合作为小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后级，也可以用作微蜂窝基站功率放大器的驱动器。该器件采用了行业标准的4x3mm表面贴装QFN封装，便于集成到现有的射频系统设计中。

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