QPD0030 GaN射频功率晶体管Qorvo现货

发布时间：2024-07-24 08:46:28     浏览：712

　　QPD0030是Qorvo公司生产的一款高性能GaN射频功率晶体管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高电子迁移率晶体管)技术。这款晶体管在48V电源轨上工作，频率范围从直流(DC)至5GHz，输出功率在P3dB点达到45W，非常适合用于基站、雷达和通信系统等应用。

QPD0030 GaN射频功率晶体管Qorvo现货

　　QPD0030的主要特点包括：

　　- 频率范围：DC至5GHz

　　- 输出功率(P3dB)：在2.2GHz频率下，输出功率可达49W。

　　- 线性增益：在2.2GHz频率下，典型增益为22.3dB。

　　- 典型PAE3dB：在2.2GHz频率下，效率高达71.5%。

　　- 工作电压：48V。

　　- 低热阻封装：在高功率工作时有效散热，保持器件的稳定性和寿命。

　　- 支持连续波(CW)和脉冲工作模式

　　QPD0030可以应用于Doherty架构中，特别适合作为小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后级，也可以用作微蜂窝基站功率放大器的驱动器。该器件采用了行业标准的4x3mm表面贴装QFN封装，便于集成到现有的射频系统设计中。

深圳市立维创展科技拥有稳定的供货渠道，优势提供Qorvo陶瓷封装IC和裸芯片产品，并大量备有现货库存，欢迎咨询。

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: RF-LAMBDA RFLI101M24M40超宽带同轴隔离器240-400MHz

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​Q3XB-4000R-SMA混合耦合器Electro-Photonics
    ​Q3XB-4000R-SMA混合耦合器Electro-Photonics 2025-07-04 16:33:07

    Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 设计的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器，旨在优化窄带和宽带功率放大器性能。它封装尺寸小，适合空间受限场景，具备 1700-6000 MHz 频率范围、85 瓦额定功率等性能参数，接口类型多样且表面处理可定制，广泛应用于信号分割/组合、天线波束形成网络等多个领域。