CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE

CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE

发布时间：2024-02-29 17:09:17 浏览：792

CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；CMPA1D1E030D选用0.25μm栅极尺寸工艺技术。与硅相比较，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。

特征

27 dB 小信号增益值

30 W 典型 PSAT

工作电压高至 40 V

高击穿场强

高温度操控

应用领域

卫星通讯上行链路

产品规格

描述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 功率放大器

最低频率(MHz)：13750

最高频率(MHz)：14500

最高值输出功率(W)：30

增益值(dB)：26.0

效率（％）：25

工作电压(V)：40

形式：MMIC 裸片

封装类别：Die

技术：GaN-on-SiC

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