CGHV50200卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE

发布时间：2024-01-16 17:16:48 浏览：769

CGHV50200F是种专门设计用在高效化氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽性能；从而使得CGHV50200F成为了对流层光学散射通讯的最佳选择；4.4-5.0GHzC频率段卫星通讯应用与超低空。CGHV50200F选用陶瓷/金属法兰封装形式。

CREE (17).png

特征

4.4–5.0GHz工作

180W常见PSAT

11.5dB常见功率增益值

48%常见电源效率

50Ω内部适配

应用领域

卫星通讯

超越视线——BLOS

对流层光学散射通讯

产品规格

描述：200瓦；4400-5000MHz；50Ω输入/输出适配；氮化镓高电子迁移率晶体管

最低频率(MHz)：4400

最高频率(MHz)：5000

最高值输出功率(W)：200

增益值(dB)：11.5

工作效率（％）：33

额定电压(V)：40

形式：封装形式分立晶体管

封装类型:法兰盘

技术应用：GaN-on-SiC

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