​SemiGen肖特基二极管

发布时间:2023-05-29 17:00:04     浏览:874

SemiGen的硅肖特基二极管致力于40GHz以内技术的应用需求设计。特殊处理技术通过各种金属材质方案为低、中和高阻隔技术应用提供性能优势。最终结果是具有严格把控电容的低电阻二极管,能够实现最高效率。SemiGen肖特基二极管低交流损耗和优异的TSS从而使二极管成为了工作频段从S波段到Ka波段的探测器/混频器技术应用及其解调器、低功率限制器和高速度开关的最佳选择。

特征:

多结处理芯片

1/F噪音

小结电容

应用:

适用于混频器、探测器、倍频器和解调器。

SemiGen是美国一家晶圆级射频器件实力派制造商,从晶圆到封装器件品类丰富,从航天级MIL-PRF 38534到军用MIL-PRF 19500750883SemiGen致力于提供卓越的质量和可靠性。

深圳市立维创展科技有限公司,授权代理于中国区域销售SemiGen产品,并提供售前和售后技术支持服务。

详情了解SemiGen请点击:http://www.leadwaytk.com/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

0.250

0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

3.0

0.400

0.14

20.0

-52

SMB201

3.0

0.400

0.20

20.0

-50

SMB202

3.0

0.400

0.12

20.0

-48

SMB203

3.0

0.400

0.14

20.0

-45

SMB204

4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

-48

SMB211

5.0

0.450

0.25

20.0

-45

SMB212

5.0

0.475

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20.0

-52

SMB213

5.0

0.475

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20.0

-50

SMB214

5.0

0.475

0.12

20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

0.500

0.20

25.0

-50

SHB302

5.0

0.500

0.12

25.0

-48

SHB303

5.0

0.500

0.14

25.0

-45

SHB304

5.0

0.525

0.15

25

-52

SHB305

5.0

0.525

0.15

25.0

-50

SHB306

5.0

0.525

0.12

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SHB307

5.0

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-45

SHB308

6.0

0.550

0.14

25.0

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SHB309

6.0

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0.15

25.0

-50

SHB310

6.0

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-48

SHB311

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SHB312

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25.0

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SHB313

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SHB314

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0.12

25.0

-42

SHB315

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-40


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