CG2H40035 C波段射频功率GaN HEMT CREE

发布时间：2022-10-10 16:47:10     浏览：674

Wolfspeed的CG2H40035是无与伦比的;氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CG2H40035使用在28伏的轨道中;提供一般应用领域;各种微波射频和微波应用宽带解决方案。CG2H40035高效率;高增益和宽带性能使CG2H40035成为线形和压缩功率放大电路的最佳选择。CG2H40035晶体管主要有两种紧固形式;法兰封装及焊接;药丸式封装。

特征

输出功率高达6GHz

40W典型PSAT

PSAT效率为64%

3.5GHz时14dB小信号增益值

28V操控

应用

双向专用型收音机

宽带放大器

蜂窝基础设施建设

测试设备

ClassA;AB；主要用于OFDM的线形放大器；W-CDMA；EDGE（边缘）；CDMA波型

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

CG2H40035.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H40035F-AMP1

GaN on SiC

0.5 GHz

3 GHz

35 W

14 dB

50%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035P

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CG2H40035F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035F

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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