CREE氮化镓(GaN) HEMT CGHV1F006

发布时间:2022-06-14 16:42:55     浏览:1294

CREECGHV1F006是无可挑剔的;专为高效率制定的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和高宽带性能。CGHV1F006可启动为L;S;C;X Ku波段功率放大器使用。数据表规格根据C波段(5.56.5-GHz)功率放大器。其它使用电源电路可用作5.8GHz7.2GHzC波段和7.98.4GHz8.59.6GHzX波段。CGHV1F00640V铁路道岔上使用,封装形式在3mmx4mm;表面贴装双扁平无导线(DFN)封装形式。在减少额定功率下;CGHV1F006晶体管可在40V以下至20VVDD下作业;始终保持高增益和高效率。

CGHV1F006.png

特征

多达15GHz的操控

8W经典输出功率

6.0GHz17dB增益值

9.0GHz15dB增益值

5.87.2GHz的使用电源电路;7.98.4GHz;和8.59.6GHz

可使用高度APDDPD校准

应用

L; S; C; X Ku 波段功率放大器

深圳市立维创展科技是CREE的经销商,CREE产品包含:发光二极管芯片,照明发光二极管,背光发光二极管,功率开关器件,无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道,长期备有库存,以满足中国市场的需求,欢迎咨询。

详情了解CREE射频微波请点击:http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 

产品 SKU

最小频率

最大频率

峰值输出功率

获得

效率

工作电压

CGHV1F006S-AMP3

8.5GHz

9.6GHz

6W

>7 dB

NA

40 V

CGHV1F006S-AMP1

5.85 GHz

7.2GHz

6W

>7 dB

NA

40 V

CGHV1F006S

DC

15GHz

6W

>7 dB

52%

40 V


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