CREE氮化镓(GaN) HEMT CGHV1F006
发布时间:2022-06-14 16:42:55 浏览:1294
CREE的CGHV1F006是无可挑剔的;专为高效率制定的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和高宽带性能。CGHV1F006可启动为L;S;C;X 和Ku波段功率放大器使用。数据表规格根据C波段(5.5–6.5-GHz)功率放大器。其它使用电源电路可用作5.8GHz–7.2GHz的C波段和7.9–8.4GHz和8.5–9.6GHz的X波段。CGHV1F006在40V铁路道岔上使用,封装形式在3mmx4mm;表面贴装; 双扁平无导线(DFN)封装形式。在减少额定功率下;CGHV1F006晶体管可在40V以下至20VVDD下作业;始终保持高增益和高效率。
特征
多达15GHz的操控;
8W经典输出功率;
6.0GHz时17dB增益值;
9.0GHz时15dB增益值;
5.8–7.2GHz的使用电源电路;7.9–8.4GHz;和8.5–9.6GHz。
可使用高度APD和DPD校准;
应用
L; S; C; X 和 Ku 波段功率放大器;
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,CREE产品包含:发光二极管芯片,照明发光二极管,背光发光二极管,功率开关器件,无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道,长期备有库存,以满足中国市场的需求,欢迎咨询。
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产品 SKU | 最小频率 | 最大频率 | 峰值输出功率 | 获得 | 效率 | 工作电压 |
CGHV1F006S-AMP3 | 8.5GHz | 9.6GHz | 6W | >7 dB | NA | 40 V |
CGHV1F006S-AMP1 | 5.85 GHz | 7.2GHz | 6W | >7 dB | NA | 40 V |
CGHV1F006S | DC | 15GHz | 6W | >7 dB | 52% | 40 V |
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