QORVO分立晶体管GAAS PHEMT

发布时间：2022-02-08 17:14:25     浏览：1458

Qorvo采用我们最先进的超低噪声0.15µm pHEMT和0.25µm E-pHEMT工艺技术提供多种多样的分立晶体管组件。QORVO分立晶体管GAAS PHEMT接受用户在设计低噪声放大器(LNA)电源电路时完全控制。各类分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。还提供匹配晶体管，特别适合平衡LNA设计。

主要特点

超低噪声系数——低至0.15dBNF（最小值）

提供裸片或封装形式

应用领域

通信基站

国防通讯

点对点(PtP)无线电

深圳市立维创展科技是QORVO的经销商，主要提供QORVO功率放大器，   IC和裸芯片，立维创展拥有稳定的供应渠道，价格优势，并大量备有现货库存，欢迎咨询。

详情了解Qorvo请点击：http : //www.leadwaytk.com/public/brand/4.html

 波导晶体探测器.JPG

Part #

Frequency Min
MHz

Frequency Max
MHz

Type

Gain
dB

OP1dB
dBm

Psat
dBm

NF
dB

PAE
%

Vd
V

Idq
mA

QPD2018D

DC

20,000


14

22

22

1

55

8

29

QPD2025D

DC

20,000


14

24

24

0.9

58

8

40

QPD2040D

DC

20,000


13

26

26

1.1

55

8

65

QPD2060D

DC

20,000


12

28

28

1.4

55

8

97

QPD2080D

DC

20,000


11.5

29.5

29.5

1

56

8

130

QPD2120D

DC

20,000


11

31

31

1

57

8

194

QPD2160D

DC

20,000


10.4

32.5

32.5

1

63

8

258

TQP3M6005

1,700

2,000


17.9

21.6


0.36


4.5

50


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