Cypress GaN HEMT – 氮化镓晶体管
发布时间:2022-01-21 17:09:18 浏览:1012
与硅相比较,Cypress 氮化镓(GaN )晶体管具备本质的优势。尤其是与硅MOSFET相比较,高临界电场促使GaN -HEMT具备优质的动态导通电阻和较小的电容,特别适合于高速开关应用领域。随后,Cypress 氮化镓晶体管可以在降低过载时间的情况下运行,以提高工作效率并完成被动冷却。在高开关频率下运行可以减少无源器件的容积,从而提升GaN HEMT的安全可靠性和总功率密度。
Cypress GaN 功率晶体管最重要的特点是其反向恢复性能。由于英飞凌的Cool GaN ™晶体管没有一些光电流和体二极管,并且它们无法显示反向恢复。因此,可以采用图腾极PFC等硬开关拓扑来完成更高的效率,例如在数据中心和服务器电源中,从而节约能源并降低经营成本。
英飞凌的Cool GaN ™是高效率的氮化镓晶体管技术应用,可在高至600V的电压范围内实行功率转换。凭着在半导体行业市场的丰富经验,英飞凌的GaN 技术应用通过端到端大规模生产使e模式概念成熟。突破性的产品质量保障了最高标准化,并提供了行业市场上所有的GaN HEMT中最可靠、性能最好的解决方案。
Cypress 采用Cool GaN ™开关电源电路具备更高的能源效率和功率密度,这是最先进的硅器件无法完成的。在200-250khz以上的高频率运行中,开关速度是影响能源传输模式的关键。英飞凌Cool GaN ™超快的开关速度可以完成极短的过载时间。其预估使用期限超出15年,设备故障率小于1,客户值得信赖其安全可靠性和产品质量。
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目前,立维创展拥有Cypress品牌,现货库存
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Product | Infineon Package name | Technology | VDS max [V] | RDS (on) max [Ω] | QG [C] | Mounting | OPN | ID max [A] | IDpuls max [A] | ID @25°C max [A] |
IGT40R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ™ | 400 | 70 | 4.5 | SMT | IGT40R070D1ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGO60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ™ | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGO60R070D1AUMA2 | 31 | 60 | 31 |
IGOT60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ™ | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGOT60R070D1AUMA3 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R070D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ™ | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGLD60R070D1AUMA3 | 15 | 60 | 15 |
IGT60R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ™ | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGT60R070D1ATMA4 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R190D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ™ | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGLD60R190D1AUMA3 | 10 | 23 | 10 |
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