Custom MMIC分立晶体管GAAS PHEMT

发布时间：2021-12-10 17:02:33 浏览：1114

Custom MMIC采用我们最领先的超低噪声0.15µmp HEMT和0.25µmE-p HEMT工艺技术提供各种各样分立晶体管组件。Custom MMIC分立晶体管GAASPHEMT允许客户在设计低噪声放大器(LNA)电源电路时完全控制。各种各样分立式FET提供低至0.15dB的NF（最小值），并可在高达22GHz的工作频率下使用。Custom MMIC还提供相匹配对晶体管，特别适合平衡LNA设计方案。

主要特点

超低噪声系数–低至0.15dBNF（最小值）；

可提供裸片或封装类型；

应用领域

通信基站；

国防通信；

点对点(PtP)无线电；

深圳市立维创展科技是CUSTOM MMIC的经销商，立维创展协助选取满足需求的最合适的MMIC优化微波射频射频信号链。CUSTOM MMIC是一个完整性的ISO认证和同类型绝佳MMICs经销商。供应迅速增长的高性能射频/微波射频MMIC产品系列。

Custom MMIC分立晶体管GAAS PHEMT

Part #	Frequency Min MHz	Frequency Max MHz	Gain dB	OP1dB dBm	Psat dBm	NF dB	PAE %	Vd V	Idq mA
QPD2018D	DC	20,000	14	22	22	1	55	8	29
QPD2025D	DC	20,000	14	24	24	0.9	58	8	40
QPD2040D	DC	20,000	13	26	26	1.1	55	8	65
QPD2060D	DC	20,000	12	28	28	1.4	55	8	97
QPD2080D	DC	20,000	11.5	29.5	29.5	1	56	8	130
QPD2120D	DC	20,000	11	31	31	1	57	8	194
QPD2160D	DC	20,000	10.4	32.5	32.5	1	63	8	258
TQP3M6005	1,700	2,000	17.9	21.6		0.36		4.5	50

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