AMCOM射频晶体管GaAs FET

发布时间：2020-09-15 15:12:31 浏览：1639

AMCOM砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)是一种专门用于高频、超高频和微波射频放大电路的场效应晶体管。AMCOM射频晶体管GaAs FET的频率范围跨越电磁辐射谱，从30 MHz到红外波段。AMCOM射频晶体管GaAs FET以其灵敏度而闻名，而GaAs FET产生的内部噪声很小。这主要是由于GaAs具有很强的载流子迁移率。电子可以轻易、快速地穿过半导体材料。AMCOM射频晶体管GaAs FET是一种耗尽器件，这意味着当控制电极没有电压时，它会导电，当栅极有电压时，沟道电导率会降低。

在弱信号无线通信和广播接收方面，AMCOMRF晶体管GaAs FET的性能优于大多数其他类型的场效应晶体管。一些类型的GaAs FET也用于射频功率放大器。GaAs FET也用于宇宙通信、射电天文学和无线电爱好者所做的实验。

AMCOM射频晶体管GaAs FET具有良好的线性度。

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模型	频率（GHz）	最大频率（GHz）	增益（dB）	P1分贝（dBm）	IP3（dBm）	偏差（V）
AM010MH4-BI-R	直流电	3	19	31	46	-28
AM030MH4-BI-R	直流电	3	19	36	49	-28
AM006MX-QG-R	直流电	6	13	22	34	-5
AM012MX-QG-R	直流电	6	13.5	25	37	-5
AM024MX-QG-R	直流电	6	13	28	39	-5
AM036MX-QG-R	直流电	6	12	29.5	42	-5
AM048MX-QG-R	直流电	6	11	31	43	-5
AM072MX-CU-R	直流电	6	11	34	46	-7
AM100MX-CU-R	直流电	6	10	35	48	-7
AM150MX-CU-R	直流电	6	10	36.5	50	-7
AM200MX-CU-R	直流电	6	10	38	48	-7
AM300MX-CU-R	直流电	6	9	39.5	51	-7
AM005MH2-BI-R	直流电	6	15	25	40	-14
AM010MH2-BI-R	直流电	6	15	28	43	-14
AM032MH4-BI-R	直流电	6	19	36	49	-28

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