X3C09P2-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器

X3C09P2-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器

发布时间：2020-04-16 10:50:02 浏览：1461

X3C09P2-03S是一个低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一个新的易于使用，制造友好的表面安装包。它专为AMPS、GSM、WCDMA和LTE波段应用而设计。X3C09P2-03S专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧密振幅和相位平衡的应用而设计。它可用于高达187瓦的大功率应用。零件经过严格的鉴定测试，并使用热膨胀系数（CTE）与常见基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺）兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS标准的浸锡处理。

X3C09P2-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器

X3C09P2-03S特征：

•800-1000兆赫

•AMPS、GSM、WCDMA和LTE

•高功率

•非常低的损耗

•紧密振幅平衡

•高隔离度

•生产友好型

•磁带和卷盘

•无铅

X3C09P2-03S重要参数

频率（GHZ）：0.8 - 1.0

功率（W）：187

回波损耗（dB）：24.9

插入损耗（dB）：0.14

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