先进工艺是中芯国际2020年开展重点，其中N+1工艺已经进入客户导入及产品认证阶段。

国产芯片竞争力逐渐上升，国产代替脚步进一步提速，在“新基建”风口下，芯片产业链开展迎来开展机会。

国产芯片绝地突围 N+1工艺商业化提速

作为国内芯片代工龙头企业，中芯国际连发利好消息，不只引进光刻机扩展芯片产能，在芯片工艺上也持续发力，N+1、N+2工艺更是大大提高芯片功能。

据了解，其N+1工艺已经进入为客户导入阶段，估计第四季度完成有限量产，商业化脚步进一步提高。根据中芯国际相关人士解说，N+1工艺的功耗和稳定性与市场上的7nm相比基本无异，其功能比14nm提高了约20%。并且N+1工艺打破芯片出产对荷兰ASML最新EUV光刻机的依靠，大大提高国产芯片扩能的可能性，对突破芯片困局大有裨益。

并且，据证券时报最近报道，华为将把部分手机“麒麟”芯片转到中芯国际代工，并使用中芯国际最新研制的N+1 制程工艺技能。中芯国际N+1工艺逐渐获得业界信任，对于打破国外独占有重要意义。

不得不说，国产芯片实力迸发，自主研制才能的提高，将会带动芯片国产代替的提速开展。在5G时代下，芯片产业链迎来红利迸发期。

新基建风口 5G芯片“火力全开”

日前，“新基建”建设进行的如火如荼，带动5G芯片迎来开展红利期。近日，工业和信息化部发布的《关于推进5G加快开展的通知》，提出全力推进5G网络建设，充分发挥5G新型基础设施的规划效应和带动效果。估计今年年底，将完成全国5G基站数超60万个，这将会带动中上游芯片需求增长，半导体产业回暖加快，国产芯片实力昂首。

除了芯片制造领域获得提速开展之外，在芯片规划环节，华为海思、紫光等都已经突破技能限制，尤其是华为海思已经把握7nm芯片规划技能，跻身国际前列。紫光展锐也发布了旗下新一代5G SoC芯片虎贲T7520，选用6nm EUV制程工艺，发力5G全场景应用终端渠道。

值得一提的是，由中微半导体设备公司自主研制的5nm刻蚀机得到台积电认可，加快国产芯片中心制造设备的商用化脚步，为国内高端芯片制造带来新的曙光。

“新基建”风口下5G迎红利迸发期，国产芯片产业链顺势崛起，商业化落地指日可下。伴随着我国自主研制才能的不断提高，中国芯将逐渐减少对国外芯片的依靠，抢跑5G，或许已经成为不可逆转的现实。

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