CGHV1J006D高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管 现货

发布时间：2019-02-22 14:16:56     浏览：1700

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯

SKU：CGHV1J006D


Wolfspeed的CGHV1J006D是一种采用0.25μm栅极长度制造工艺的碳化硅衬底上的高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN-on-SiC产品具有出色的高频，高效特性。它适用于工作频率范围为10 MHz至18 GHz，40 V且具有高击穿电压的各种应用。

特征

  • 高达18 GHz的操作

品牌 型号 货期 库存
CREE CGHV1J006D 1周 200
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峰值输出功率 6W
应用 通用宽带，40 V
典型的功率附加效率PAE 60％@ 10 GHz
典型功率（PSAT） 6瓦
工作电压 40 V
频率 DC - 18.0 GHz
包装类型 死
小信号增益 17 dB @ 10 GHz

示意图



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