CGHV96050F2碳化硅高电子迁移率晶体管 代理现货

发布时间：2019-02-22 10:22:17     浏览：1555

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50欧姆，输入/输出匹配GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，具有最佳的电气和热性能。

品牌 型号 货期 库存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT典型值


峰值输出功率 50W
应用 L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段
典型的功率附加效率PAE 55％
典型功率（PSAT） 80瓦
功率增益 10分贝
工作电压 40 V
频率 7.9 - 9.6 GHz
包装类型 轮缘
内部匹配 是 - 50Ω

示意图

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