Qorvo的RFGA0024是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0024的内部有源偏置电路允许放大器直接从5V电源工作,并提供稳定的电流随温度变化并处理Beta变化。这款达林顿放大器的内部匹配电阻为50欧姆,非常适合需要小尺寸和最少外部元件的应用。
Qorvo的RFGA0014是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0014的内部有源偏置电路允许放大器直接从5V电源工作,并提供稳定的电流随温度变化并处理Beta变化。这款达林顿放大器的内部匹配电阻为50欧姆,非常适合需要小尺寸和最少外部元件的应用。
Qorvo的RF5633是专为最终或驱动器级应用设计的线性功率放大器IC。该器件采用带有背面接地的无引线芯片载体。RF5633设计用于在广泛的温度和功率输出范围内保持线性。外部匹配为多个频段的输出功率提供可调性。
Qorvo的RF5623是专为中等功率应用设计的线性功率放大器IC。该器件采用先进的InGaP异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计用作802.16e发射器的最终射频放大器。
Qorvo的RF3827是一款通用,低成本,高线性度的RF放大器IC。该器件采用砷化镓工艺制造,采用3mm x 3mm,16引脚QFN封装。它非常适合用作线性/低噪声放大器,其中OIP3等于38dBm,噪声系数小于1.5dB。
Qorvo的RF3315是一款高效率砷化镓异质结双极晶体管(HBT)放大器,采用低成本表面贴装封装。该放大器非常适用于需要200MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。
Qorvo的RF3223是一款采用低成本表面贴装封装的高效GaAs异质结双极晶体管(HBT)放大器。该放大器非常适用于需要500MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。RF3223采用单5V电源供电,采用经济的3mm x 3mm QFN封装。
Qorvo的RF3220是一款高效率砷化镓异质结双极晶体管(HBT)放大器,采用低成本表面贴装封装。该放大器非常适用于需要500MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。RF3220采用单5V电源供电,采用经济的3mm x 3mm QFN封装。
Qorvo的RF2162是针对3V手持系统的高功率高效率线性放大器IC。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计用作双模式3V CDMA / AMPS手持数字蜂窝设备扩频系统和其他应用中的最终RF放大器。 800MHz至960MHz频段。
Qorvo QPM1000是一款集成式限幅器/ LNA,可在2-20GHz频率范围内提供稳健,高性能。QPM1000在增益控制下提供17 dB的小信号增益,在整个频率范围内具有1.7 - 4 dB的噪声系数,> 18 dBm P1dB。此外,集成限幅器提供高达4 W的入射功率的稳健性水平,而不会降低性能。
AMCOM成立于1996年12月,由一群在微波电路设计和微波器件制造技术方面经验丰富的微波设计师组成。它位于美国马里兰州盖瑟斯堡,距华盛顿西北约20英里。该公司作为领先的微波设计组织享有盛誉,该组织包括功率FET,MMIC功率放大器以及带RF和DC连接器的高功率放大器模块,这些模块已准备好用于微波系统。
AMCOM的AM072249WM是宽带GaAs MMIC功率放大器。它有一个30dB小信号增益和39 dBm(8W)饱和输出的额定CW性能功率超过0.7至2.2GHz频段。MMIC在两个芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表单。AM072249WM SN-R是陶瓷封装中的一种。法兰和直RF和DC导致装配下降
HMC609LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为2至4 GHz。 HMC609LC4在整个工作频段内具有出色的平坦性能特性,包括20 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+36.5 dBm输出IP3。
HMC-APH403是一款三级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为37至45 GHz。 HMC-APH403提供21 dB增益,采用+5V电源电压时具有+23 dBm输出功率(1 dB压缩)。
HMC635LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供18.5 dB的增益、+27 dBm输出IP3及+22 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。
HMC441LM1是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 该放大器提供15 dB增益,饱和功率为21.5 dBm(27% PAE时),电源电压为+5V。
HMC442LM1是一款宽带17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 LM1采用真正的表贴宽带毫米波封装,提供低损耗和出色的I/O匹配,并保持MMIC芯片性能。
THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm
HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点
HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22
THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(
HMC608LC4是一款高动态范围GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器,采用无引脚“无铅”SMT封装。该放大器提供两种工作模式:高增益模式(Vpd引脚短接至地);和低增益模式(Vpd引脚保持开
HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压
HMC-AUH318是一款高动态范围的三级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至76 GHz的频率下工作。 HMCAUH318提供24 dB的增益,在1 dB压缩点提供+17.5 dBm
HMC-AUH317是一款高动态范围的三级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在81至86 GHz的频率下工作。 HMCAUH317提供22 dB的增益,在1 dB压缩点提供+17.5 dBm
HMC-AUH249是一款GaAs MMIC HEMT分布式驱动放大器裸片,在DC至43 GHz的频率下工作,典型3 dB带宽为35 GHz。 该放大器提供15 dB增益,饱和输出功率为+23 dBm
HMC-APH634是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为81至86 GHz。 HMC-APH634提供12 dB增益,采用+4V电源时具有+20 dBm输出功率(1 d
HMC-APH633是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为71至76 GHz。 HMC-APH633提供13 dB增益,采用+4V电源电压时具有+20 dBm输出功率(1
HMC441LH5是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用密封型SMT无引脚封装。 该放大器提供15 dB增益,饱和功率为21.5 dBm(25% PAE时)
HMC465是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在DC到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供17 dB增益、2.5 dB噪声系数,饱和输出功率为+24 dBm,采用+8V