NPT2021国防应用宽带晶体管L波段雷达 MACOM代理商现货热销

2018-07-09 10:35:31

NPT2021 GaN HEMT是一款宽带晶体管，针对DC-2.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为45 W，采用工业标准塑料封装，带螺栓法兰。

NPT2010 航空航天脉冲和线性宽带晶体管 MACOM现货

2018-07-09 10:26:06

NPT2010 GaN HEMT是一款针对DC-2.2 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波，脉冲和线性工作，输出功率为100W（50 dBm），采用工业标准金属陶瓷封装，带螺栓法兰。

NPT1010B氮化镓氮气28伏100W射频功率晶体 MACOM现货

2018-07-09 10:11:02

NPT1010B氮化镓氮气28伏，100W射频功率晶体管使用SigaNIC®NFR1工艺建造-专有的氮化镓硅技术不推荐用于新的应用。 若您有任何疑问，请联系我们立维创展，我们会尽最大努力为您服务。​

NPT25100射频功率晶体管90W P3dB连续波功率 MACOM现货

2018-07-09 09:42:42

NPT25100射频功率晶体管90W P3dB连续波功率，优势和特点有CW、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100～-2500兆赫其他应用的优化，高可靠性金金属化工艺，热增强工业标准封装，100%射频测试等

NPT2022宽带晶体管HF/UHF/L/S波段雷达 MACOM现货代理商

2018-07-09 09:28:38

NPT2022 GaN HEMT是一种宽带晶体管，针对DC-2 GHz工作进行了优化。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为100 W（50 dBm），采用行业标准塑料封装。NPT2022非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

NPA1003QA宽带功率放大器 VHF/UHF/L波段雷达 MACOM现货

2018-07-09 09:18:19

NPA1003QA是一款宽带，内部匹配的GaN MMIC功率放大器，针对20-1500 MHz工作进行了优化。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率超过5W（37 dBm），采用工业标准表面贴装QFN4X4-16塑料封装。

MAGX-011086高宽带晶体管频率DC-6 GHz MACOM代理商现货

2018-07-09 09:10:27

MAGx-011086 GaN HEMT是一款宽带晶体管，针对DC-6 GHz工作进行了优化，采用用户友好型封装，是高带宽应用的理想选择。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率为5W（37 dBm），采用工业标准，低电感，表面贴装QFN4X4-24塑料封装。

HMC649ALP6E/HMC649ALP6ETR军用6位数字移相器芯片 ADI现货

2018-07-06 17:16:17

components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。

HMC647ALP6E/HMC647ALP6ETR卫星通信6位数字移相器 ADI现货

2018-07-06 16:57:02

HMC647ALP6E是一款6位数字移相器，额定频率范围为2.5至3.1 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。

HMC642ALC5/HMC642ALC5TR军用雷达6位数字移相器芯片 ADI现货

2018-07-06 16:54:24

HMC642A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。

HMC648ALP6E/HMC648ALP6ETR数字移相器芯片 ADI现货

2018-07-06 16:26:28

HMC648A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为2.9 GHz至3.9 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC648A在所有相态具有1.2度至1.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。

HMC264LM3/HMC264LM3TR微波集成LO放大器混频器 ADI现货

2018-07-06 16:16:06

HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器，采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时，2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的驱动。

HMC265LM3/HMC265LM3TR点对点无线电下变频器 ADI现货

2018-07-06 15:50:11

HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器，采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时，2LO至RF和IF隔离性能出色，无需额外滤波。

HMC337/HMC337-SX微波无线电混频器芯片 ADI现货

2018-07-06 15:47:43

HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。

HMC338LC3B/HMC338LC3BTR军用集成LO混频器 ADI现货

2018-07-06 15:36:46

HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时，2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V到+4V）设计，需-5 dBm的标称驱动

HMC339/HMC339-S放大器X芯片次谐波混频器 ADI现货

2018-07-06 13:54:32

HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需+2 dBm的标称驱动。

HMC404/HMC404-SX集成LO放大器芯片 ADI现货

2018-07-06 13:51:03

HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为2.31mm²。 片内90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能，镜像抑制大于22 dB。

HMC689LP4E/HMC689LP4ETR基站和中继器混频器 ADI现货

2018-07-05 11:45:09

HMC689LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为2.0 - 2.7 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+32 dBm的出色输入IP3下变频性能。

HMC685LP4E/HMC685LP4ETR高动态范围集成LO放大器 ADI现货

2018-07-05 11:41:27

HMC685LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+32 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+27 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平

HMC683LP6CE/HMC683LP6CETR高通道隔离双通道下变频器 ADI现货

2018-07-05 11:08:07

HMC683LP6C(E)是一款高线性度、双通道下变频器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封装，工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+23 dBm的出色输入IP3下变频性能。

HMC682LP6CE/HMC682LP6CETR高线性度下变频器 ADI现货

2018-07-05 10:57:04

HMC682LP6C(E)是一款高线性度、双通道下变频器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 该器件针对3G和4G GSM/CDMA应用提供+25 dBm的出色输入IP3性能以进行下变频，LO驱动为0 dBm。

HMC666LP4E/HMC666LP4ETR高动态范围无源MMIC混频器 ADI现货

2018-07-05 10:48:57

HMC666LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为3.1 - 3.9 GHz。 HMC666LP4(E)与HMC688LP4(E)引脚兼容，后者是一款2.0 - 2.7 GHz混频器，集成LO放大器。

HMC786LP4E/HMC786LP4ETR集成LO放大器混频器 ADI现货

2018-07-05 10:41:08

HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+40 dBm的出色输入IP3下变频性能。

HMC785LP4E/HMC785LP4ETR无源MMIC混频器 ADI现货 蜂窝集成LO放大器

2018-07-05 10:33:34

HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+38 dBm的出色输入IP3下变频性能。

HMC218BMS8GE/HMC218BMS8GETR固定无线超小型双平衡混频器 ADI现货

2018-07-05 10:28:14

HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。

HMC773ALC3B/HMC773ALC3BTR无引脚双平衡混频器6 GHz至26 GHz ADI现货

2018-07-05 10:18:06

HMC773A是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚、RoHS兼容型LCC封装，可用作6 GHz至26 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。

HMC412BMS8GE/HMC412BMS8GETR微波无线电被动双平衡混频器 ADI现货

2018-07-05 10:10:24

HMC412BMS8GE是一个被动双平衡混频器，工作在8至16千兆赫。HMC412BMS8GE与LO驱动电平在9至15 dBm之间工作，并在整个指定频带上提供8 dB的转换损耗。这种混频器不需要外部元件或偏置。

HMC558ALC3B/HMC558ALC3BTR通用型双平衡混频器 ADI现货

2018-07-05 09:36:42

HMC558ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装，可用作5.5至14 GHz范围内的上变频器或下变频器。这款混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

HMC219BMS8GE/HMC219BMS8GETR超小型通用双平衡混频器 ADI现货

2018-07-05 09:34:31

HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

HMC220BMS8GE/HMC220BMS8GETR微波小型双平衡混频器 ADI现货

2018-07-05 09:22:49

HMC220B是一个超微型，双平衡混频器在一个8引脚迷你小外形封装与裸露垫（Mini SosiEP）。这种基本的单片微波集成电路（MMIC）混频器由砷化镓（GaAs）肖特基二极管和平面变压器Baluns构成。