HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关,采用6引脚SOT26塑料封装,适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗,可控制频率范围为DC至6 GHz的信号,尤其适合IF和RF应用,包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。
HMC253A是一款非反射SP8T开关,采用符合RoHS标准的无引脚4 mm x 4 mm SMT陶瓷封装和24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至3.5 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性,使其可采用0/3 V控制电源和5 V电源工作。
HMC1084是一款宽带反射GaAs MESFET SP4T开关,采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为23 - 30 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。 HMC1084由0/-3V逻辑控制,具有快速开关速度,且直流功耗比基于pin二极管的解决方案小。
HMC-AUH312是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、HEMT、低噪声、宽带放大器裸片,工作频率范围为500 MHz至80 GHz,提供3 dB带宽(典型值,80 GHz)。 该放大器提供10 dB的小信号增益,最大输出幅度为2.5 V p-p,非常适合宽带无线、光纤通信和测试设备应用。
HMC1022A是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器,工作频率范围为DC至48 GHz。 本放大器提供12 dB增益,32 dBm输出IP 3和+22 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为150 mA(采用+10 V电源)。
HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。
HMC463LH250是一款GaAs MMIC PHEMT低噪声AGC分布式放大器,采用密封型表贴封装,工作频率范围为2至20 GHz。 该放大器提供13 dB增益、3.0 dB噪声系数和18 dBm输出功率(1 dB增益压缩)
LTC6419是一款双通道、非常高速度的低失真差分放大器。该器件的输入共模范围包括地电位,因此可对一个参考于地的单端或差分输入信号实施 DC 耦合、电平移位和转换,以对一个 ADC 进行差分驱动。
ADA4961是一款高性能BiCMOS RF数字增益放大器(DGA),针对重负载驱动(≥2.0 GHz)进行了优化。 它可实现500 MHz时−90 dBc和1.5 GHz时−85 dBc的典型IMD3性能。 该RF性能使GHz级转换器可实现最佳性能,而且不像通常的GaAs放大器,它对驱动放大器或总功耗的限制极小
ADL5569是一款针对DC至6.0 GHz应用而优化的高性能双通道、差分放大器,具有20 dB电压增益。该放大器提供双通道格式,在宽频率范围内提供1.0 nV/√Hz(500 MHz时)的低折合到输入(RTI)噪声和出色的失真性能,堪称高速12位至16位模数转换器(ADC)的理想驱动器。
Qorvo的TGA2598-SM是一款封装宽带驱动器放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25 um GaN on SiC工艺制造。TGA2598-SM工作频率范围为6至12 GHz,饱和输出功率为2 W,功率附加效率> 25%,信号增益小25 dB。
Qorvo的TGA2598是一款宽带MMIC驱动器放大器,采用Qorvo生产的0.25um GaN on SiC工艺(TQGaN25)制造。TGA2598覆盖6-12GHz,提供超过33dBm的饱和输出功率和21dB的小信号增益,同时实现超过31%的功率附加效率。
Qorvo的TGA2597-SM是一款军用雷达封装驱动放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工艺制造。TGA2597-SM的工作频率为2.0至6.0GHz,提供32 dBm的输出功率,14 dB的大信号增益和31%的功率附加效率。
Qorvo的TGA2597是一款驱动放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工艺制造。TGA2597的工作频率范围为2.0至6.0 GHz,提供> 31.5 dBm的输出功率,大信号增益> 13.5 dB,功率附加效率> 31%。
Qorvo的TGA2509是一款带AGC的紧凑型宽带高功率放大器。HPA的工作频率为2 - 22 GHz,采用Qorvo经过验证的标准0.25 um栅极pHEMT生产工艺设计。该器件在1 dB增益压缩下提供大于28.5 dBm的输出功率,小信号增益为17 dB。
随着新型SZM-3166Z高线性3.3-3.6 GHz 2W功率放大器的推出,Qorvo的应用领先产品组合得到了增强。SZM-3166Z为更昂贵的基于FET的解决方案提供了经济高效的解决方案。SZM-3166Z只有7.5 dB的P1dB后退,提供1/2瓦特的线性功率@ 2.5%EVM,而输出级提供15%的效率。
Qorvo的SZM-3066Z是一款高线性度3.3-3.8 GHz 2W AB类异质结双极晶体管(HBT)功率放大器,采用低成本表面贴装塑料Q-FlexN多芯片模块封装。该HBT放大器设计为3.3-3.8 GHz频段内ISM频段设备的最终或驱动级,可以采用3V至6V电源供电。
Qorvo的SZA-3044是一款高效2.7-3.8 GHz 1W AB类异质结双极晶体管(HBT)功率放大器,采用低成本表面贴装塑料封装。该HBT放大器设计为3.3-3.8 GHz频段内ISM频段设备的最终或驱动级,可以采用3V至6V电源供电。优化的片上阻抗匹配电路提供50欧姆标称RF输入阻抗。
Qorvo的SXB4089Z放大器是一种高效率的InGaP / GaAs异质结双极晶体管(HBT)MMIC,采用低成本,表面贴装的塑料封装。这些放大器专门设计用作400MHz至2500MHz蜂窝,ISM,WLL,PCS,WCDMA应用中基础设施设备的驱动器设备。
Qorvo的SXB2089Z放大器是一款高线性度InGaP / GaAs异质结双极晶体管(HBT)MMIC,采用低成本,可表面贴装的塑料封装。这些放大器专门设计用作5MHz至2500MHz蜂窝,ISM,WLL,PCS和W-CDMA应用中基础设施设备的驱动器设备。
Qorvo的SXA389Z放大器是一种高效率GaAs异质结双极晶体管(HBT)MMIC,采用低成本表面贴装塑料封装。这些HBT MMIC采用分子束外延生长技术制造,可在晶圆与晶圆之间以及批次之间产生可靠且一致的性能。
Qorvo的SXA389BZ放大器是一种高效GaAs异质结双极晶体管(HBT)MMIC,采用低成本表面贴装塑料封装。这些HBT MMIC采用分子束外延生长技术制造,可在晶圆与晶圆之间以及批次之间产生可靠且一致的性能。
Qorvo的RFPA3800是一款单级GaAs HBT功率放大器,专为高功率,高效率应用而设计。它也非常适合无线基础设施线性功率放大器应用。通过改变静态偏置点和负载线,RFPA3800可以针对线性或饱和操作进行优化。
Qorvo的RFPA2545是一款宽带GaAs HBT功率放大器,专为无线基础设施应用而设计。这款高性能单级放大器采用高度可靠的GaAs HBT技术,可在宽频率范围内实现更高的增益和超高线性度。它具有出色的后退特性,是超线性应用的理想选择。
Qorvo的RFPA2026是一款3级HBT功率放大器模块,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2026能够针对各种应用进行优化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超线性驱动器放大器。用户还可以绕过第一阶段以降低增益和功耗。
QPM1002是一款氮化镓MMIC前端模块(FEM),专为8.5 - 10.5 GHz范围内的X波段雷达应用而设计。MMIC结合了T / R开关,低噪声放大器和功率放大器。适合高功率国防AESA 雷达系统的 GaN X 频段 FEM
QPM2637是一款氮化镓MMIC前端模块(FEM),专为9-10.5 GHz范围内的国防X波段雷达应用而设计。MMIC结合了T / R开关,低噪声放大器和功率放大器。
QPF4006是一款多功能氮化镓MMIC前端模块,适用于39GHz相控阵5G基站和终端。该器件结合了低噪声高线性度LNA,低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。
Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W(P3dB)分立GaN,L 频段1800W双通道射频晶体管,非常适用于IFF,航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持CW和脉冲操作。工作频率范围为1.0至1.1 GHz。
QPA9120是一款宽带,高增益,高线性度驱动放大器,QPA9120旨在用作无线基础设施的前置驱动放大器,其中需要高线性度,中等射频功率和高效直流电源操作。该器件是5G密集阵列m-MIMO无线电应用的绝佳选择。