低噪声放大器(LNA)是几乎所有雷达,无线通信和仪器系统中的关键组件。虽然噪声系数(NF)性能通常是您的主要关注点,但与性能和尺寸,重量,功率和成本(SWaP-C)相关的其他微波系统考虑因素可能同样重要,甚至更重要。
CMD276C4,CMD277C4和CMD278C4 GaN MMIC LNA具有高线性度性能,输出IP3为+ 32dBm,同时提供5W的高输入功率处理能力。高输入功率处理功能使系统设计人员能够避开限制器和其他保护网络,同时在工作带宽上仍能实现极低的噪声系数。
CUSTOM MMIC很高兴地宣布,我们最近已获得Nemko认证,符合ISO 9001:2015标准。这一成就是从我们之前的认证到2012年和2015年的ISO 9001:2008标准的演变。
Custom MMIC:先进的MMIC有助于减小相控阵雷达系统的尺寸和功率,相控阵雷达系统是国家电子防御战略的重要手段。从扫描远程发射导弹的大型舰载系统到安装在战斗机和无人机(UAV)上的更紧凑的阵列,电子相控阵雷达有多种尺寸和形式,提供可靠的信号检测和识别。与早期的雷达系统相比,这些现代系统具有许多优点,这些雷达系统依靠天线的物理运动来引导雷达波束以寻找目标。
CUSTOM MMIC继续迅速增加其广泛的MMIC开关系列; 两个新的GaAs MMIC开关,即非反射型CMD235C4和CMD236C4。CMD235C4是一款DC-18 GHz宽带MMIC SP5T交换机,提供宽带性能,插入损耗为2.5dB,10 GHz时端口到端口的隔离度高达40dB。
我们很自豪地宣布推出业界首款超低噪声放大器(ULNA)MMIC。CMD283C3提供令人难以置信的0.6 dB噪声系数,优于所有其他LNA MMIC,并可与分立元件实现相媲美。它的工作频率范围为2 GHz至6 GHz(S&C频段),输出IP3为+26 dBm。
当应用于RF功率放大器MMIC时,GaN MMIC技术的功率最强。在这里,我们快速回顾一下我们的一些功率放大器MMIC成功的GaN。
我们custom mmic很高兴地宣布,我们将继续使用CMD270P3和CMD174增加我们广泛的LNA和移相器MMIC产品组合。所述CMD270P3是装在一个3×3的无铅毫米的塑料表面上的C波段,4-8 GHz的低噪声放大器安装封装。LNA提供大于16 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+18 dBm,噪声系数为1.7 dB。
RF-Lambda发布了一系列高功率GaN放大器系统(ITAR),用于覆盖导弹防御应用的X,K,Ku和Ka频段,更多的特点型号请联系我们。RFLUPA250K220MA放大器使用方法,在打开电源之前,确保放大器的输入和输出端口被安全地终止到适当的50欧姆负载中。
R50G69GSA低噪声放大器应用范围与主要参数,短途/高容量链路、无线局域网、军事与空间、噪声系数:3.8分贝、P1dB:±15 dBm、增益:10分贝、电源电压:+5V和-5V、50欧姆匹配的输入/输出
RAMP06G18GF固态宽带电磁兼容台式功率放大器使用方法,在打开电源之前,确保放大器的输入和输出端口被安全地终止到适当的50欧姆负载中。不要在没有负载的情况下操作放大器。适当的50欧姆负载被定义为阻抗小于1.9-1或返回的负载。损耗大于10dB,相对于50欧姆在指定的操作带宽内。
AMCOM的AM357039 WM是宽带GaAs MMIC功率放大器。它有一个21dB小信号增益和37.5dBm(7W)饱和的额定CW性能输出功率超过3.5至7GHz频段。MMIC在两个芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表单。该AM357039 WM SN-R是在陶瓷封装与A法兰和直RF和DC导致装配下降。
AMCOM的AM357037 WM是宽带GaAs MMIC功率放大器。它有一个26dB小信号增益和37 dBm(5W)饱和输出的额定CW性能功率超过3.5至7GHz频段。MMIC在两个芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表单。该AM357037 WM SN-R是在陶瓷封装与A法兰和直RF和DC导致装配下降。
AMCOM的AM072249WM是宽带GaAs MMIC功率放大器。它有一个30dB小信号增益和39 dBm(8W)饱和输出的额定CW性能功率超过0.7至2.2GHz频段。MMIC在两个芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表单。AM072249WM SN-R是陶瓷封装中的一种。
Qorvo的TQP7M9105是1W 5V小型蜂窝基站高线性度驱动放大器,采用标准SOT-89表面贴装封装。在0.9 GHz时,TQP7M9105提供19.4 dB增益,超高49 dBm OIP3和+30 dBm压缩1dB功率,同时吸收非常低的220 mA电流。内部电路允许放大器提供具有“AB类”效率的“A类”线性性能。TQP7M9105包含片上实现的附加专利功能,使其与市场上的其他产品区别开来
Qorvo的TQP7M9104是一款中继器高线性度驱动放大器,采用符合RoHS标准的行业标准QFN表面贴装封装。此的InGaP /砷化镓HBT提供跨越15.8 dB增益,49.5 dBm的OIP3和32.5 dBm的P1dB为2.14千兆赫频率的600〜2700 MHz的范围内的高的性能
Qorvo的TQP7M9103是一款基站收发器高线性度驱动放大器,采用符合RoHS标准的行业标准SOT-89表面贴装封装。这种InGaP / GaAs HBT可在宽范围的频率范围内提供高性能,+ 0 dBm OIP3和+29.5 dBm P1dB,同时仅消耗235 mA静态电流。所有器件均经过100%RF和DC测试。
Qorvo的TQP7M9102是一款高线性度驱动放大器,采用低成本,符合RoHS标准的表面贴装封装。这种InGaP / GaAs HBT可在宽频率范围内提供高性能,+ 4 dBm OIP3和+27.5 dBm P1dB,同时仅消耗135 mA静态电流。所有器件均经过100%RF和DC测试。
Qorvo的TQP7M9101是一款采用标准SOT-89表面贴装封装的高线性度驱动放大器。这种InGaP / GaAs HBT可在宽频率范围内提供高性能,+ 40 dBm OIP3和+25 dBm P1dB,同时仅消耗87 mA静态电流。所有器件均经过100%RF和DC测试。
Qorvo的TGA3500-SM是一款可变增益放大器,能够支持各种应用。TGA3500-SM的工作频率为2至12 GHz,采用久经考验的Qorvo 0.15um pHEMT生产工艺设计。
Qorvo的TGA2958-SM是一款封装的Ku波段放大器,采用Qorvo的0.15um GaN on SiC生产工艺(QGaN15)制造。TGA2958-SM工作在13-18GHz带宽上,提供2W饱和输出功率,20dB大信号增益和> 25%功率增加效率。
Qorvo的TGA2958是一款采用Qorvo TQGaN15 GaN工艺制造的驱动放大器。TGA2958的工作频率为13 - 18 GHz,饱和输出功率为2 W,大信号增益大于21 dB,功率附加效率至少为25%。
Qorvo的TGA2731-SM是用于S波段应用的驱动放大器。TGA2731-SM的工作频率范围为2.7至4.0 GHz,输出功率> 30.7 dBm,信号增益大于22.7 dB。TGA2731-SM还在输入端包含一个13dB衰减器,在输出端还包含一个简单的电阻耦合功率检测器。
Qorvo的TGA2706-SM是一款封装的2瓦功率放大器,适用于C波段应用。该部件采用Qorvo经过验证的标准0.5um E / D pHEMT生产工艺设计。TGA2706-SM在12 dBm的输入功率水平下提供标称34 dBm的输出功率,信号增益小,为31 dB。标称TOI为42 dBm,噪声系数为7 dB。
Qorvo的TGA2620是一款Ku波段MMIC驱动放大器,采用Qorvo的0.15um GaAs pHEMT生产工艺制造。TGA2620工作在16-18 GHz,提供超过19dBm的饱和输出功率,18dBm P1dB和超过20dB的小信号增益。
Qorvo的TGA2599-SM是一款封装驱动放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工艺制造。TGA2599-SM的工作频率为5.0至8.0GHz,提供33 dBm的输出功率,15 dB的大信号增益和34%的功率附加效率。
HMC646LP2(E)是一款SPDT开关,采用无引脚DFN表贴塑料封装,可用于发射/接收和LNA保护等要求极低失真和高达40 W、占空比低于10%的高功率应用。 这款鲁棒的开关可控制100 - 2100 MHz*的信号,非常适合TD-SCDMA/3G中继器、PMR、汽车远程信息处理和卫星用户终端应用。
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2开关矩阵产品,采用无引脚QFN 4x4 mm表贴封装,可用于卫星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路开关。 开关上集成由正电压控制的4位解码器。 该开关可用于75 Ω或50 Ω系统。
HMC546LP2(E)是一款故障安全SPDT开关,采用DFN表贴塑料封装,适合于需要极低失真和高功率处理(高达10 W)性能的发射/接收和LNA保护应用。 该器件可控制200 - 2700 MHz*信号,尤其适合WiMAX和WiBro中继器、PMR和汽车远程信息处理应用。
HMC1055是一款低成本、砷化镓(GaAs)、单刀单掷(SPST)开关,采用LFCSP表贴封装。 该开关具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶交调性能,非常适合0.5 GHz至4.0 GHz范围内的许多蜂窝和无线基础设施应用。