氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其高击穿电压和处理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而众所周知。最近，GaN技术也被用于在微波区域中创建低噪声放大器（LNA），因为GaN的噪声特性与其他半导体材料类似，最值得注意的是砷化镓（GaAs）。在许多微波系统中，LNA受到不需要的高输入功率电平，例如干扰信号。由GaN制造的LNA的一个特征是能够承受这些输入功率水平而不需要限制器，这是由于器件固有的坚固性。实际上，这是GaN LNA取代其GaAs对应物的一个原因，因为GaAs LNA通常需要前端限制器，

尽管能够在没有限制器的情况下工作，但是GaN LNA并不完全不受高输入功率的影响。当高功率干扰信号和期望信号都输入到GaN LNA时，问题发生，然后突然关闭干扰信号。在这种情况下，GaN放大器不会立即恢复，因为在正常操作返回之前所需信号存在一些残余失真。这种现象称为脉冲恢复时间，并且一般而言迅速成为关于LNA的重要参数。过去的研究人员已经研究了GaN LNA中的脉冲恢复时间，尽管这项工作的范围有限。一项研究表明，某些放大器的恢复时间小于30 ns，但这些测量只使用了相干干扰器，并且总体测量数量有限。在具有限制器的GaAs LNA上进行脉冲恢复时间的第二次研究。限制器不仅影响了小信号性能，而且还增加了施加高功率时的恢复时间。在表现出DC和RF应力之后，已经对GaN HEMT噪声性能的劣化进行了进一步的研究，这可能导致正向栅极电流并损坏栅极器件。然而，这项工作没有明确解决LNA中的脉冲恢复时间。其他论文同样分析了GaN放大器对高输入功率过驱动的生存能力，但这项工作再次对脉冲恢复时间几乎没有了解。限制器不仅影响了小信号性能，而且还增加了施加高功率时的恢复时间。在表现出DC和RF应力之后，已经对GaN HEMT噪声性能的劣化进行了进一步的研究，这可能导致正向栅极电流并损坏栅极器件。然而，这项工作没有明确解决LNA中的脉冲恢复时间。其他论文同样分析了GaN放大器对高输入功率过驱动的生存能力，但这项工作再次对脉冲恢复时间几乎没有了解。限制器不仅影响了小信号性能，而且还增加了施加高功率时的恢复时间。在表现出DC和RF应力之后，已经对GaN HEMT噪声性能的劣化进行了进一步的研究，这可能导致正向栅极电流并损坏栅极器件。然而，这项工作没有明确解决LNA中的脉冲恢复时间。其他论文同样分析了GaN放大器对高输入功率过驱动的生存能力，但这项工作再次对脉冲恢复时间几乎没有了解。

测量测试设置

Custom MMIC设计的设置使用两个信号发生器，第一个提供8.5 GHz的带外干扰信号，第二个提供7.5 GHz的所需连续波（CW）带内信号。来自＃1的干扰RF信号使用由具有低占空比的方波控制的单刀单掷（SPST）开关来脉冲。由于SPST的快速上升/下降时间（大约为1.8 ns），我们选择脉冲信号路径，而不是干扰放大器的偏置电路。此外，脉冲电源会在输出端出现高水平的振铃。干扰信号由外部功率放大器（PA）放大，然后用无源功率合成器加到所需信号上。我们使用了一个循环器，端接在20 dB焊盘和高功率50欧姆负载，在组合器和被测器件（DUT）之间，以防止任何高功率失配信号反射回PA。然后用另外的20 dB衰减器衰减DUT的输出，通过带通滤波器发送通带为7.25至7.75 GHz，然后输入数字化示波器。滤波器衰减干扰信号，以便精确测量脉冲恢复时间。最后，我们使用两个不同的示波器进行测量。泰克数字串行分析仪示波器用于测量较短脉冲宽度的恢复时间，而Hewlett Packard数字化示波器用于测量使用较长脉冲时的恢复时间。

测试程序包括改变脉冲宽度和干扰信号的输入功率，同时保持所需信号的功率恒定在-10dBm。我们的技术简介中提供了测试条件的摘要，包括脉冲宽度，重复率和干扰信号的功率电平。值得注意的是，干扰信号的输入功率在15和27 dBm之间变化，输送到DUT的总能量是关注的重要参数。所有使用短脉冲的测量均在Tektronix示波器上进行，而长脉冲测量则在Hewlett-Packard示波器上进行。