​GTRB204402FC L波段高功率RF GaN

发布时间：2024-11-06 17:13:24     浏览：434

GTRB204402FC/1是CREE的一款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），致力于多标准蜂窝状功率放大器技术应用需求设计。GTRB204402FC具备高效率和无轴环的热增强封装。

GTRB204402FC.png

产品规格

阐述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最低频率（MHz）：1930

最高频率（MHz）：2020

P3dB输出功率（W）：350

增益值（dB）：16.3

高效率（%）：58

额定电压（V）：48

封装类别：Earless

封装：封装分立晶体管

技术：SiC上的GaN

特征

典型的脉冲CW性能，2020 MHz，48 V，10μs脉冲宽度，10%pwm占空比，组合输出

P3dB=350W时的输出功率

P3dB时的高效率=65%

模特模型1C级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

无铅并满足RoHS标准

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